常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）
——室溫型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件；
● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件；

產(chǎn)品型號(hào)：DInGaAs系列

更新時(shí)間：2024-05-20

廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家

訪問(wèn)量：4841

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常溫型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）

——室溫型近紅外探測(cè)器，使用范圍：0.8-1.7μm（2.6μm）
● DInGaAs1600型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)小面積InGaAs元件；
● DInGaAs1650型內(nèi)裝國(guó)產(chǎn)大面積InGaAs元件；
● DInGaAs1700-R03M型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件；
● DInGaAs1700型內(nèi)裝進(jìn)口大面積InGaAs元件；
● DInGaAs2600型內(nèi)裝進(jìn)口InGaAs元件

型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：

型號(hào)/參數(shù)	DInGaAs1600	DInGaAs1650	DInGaAs1700-R03M	DInGaAs1700	DInGaAs2600
光敏面直徑（mm）	1.5	5	3	5	3
波長(zhǎng)范圍（nm）	900-1600	900-1650	800-1700	800-1700	800-2600
峰值響應(yīng)度（A/W, 小）	0.85	0.85	0.9	0.95	1.1
暗電流（nA, 大）	0.1	200	100	10μA	1mA
D*（典型值）	-	-	2.3×1012	9.6×1011	4.1×1010
NEP（典型值）	-	-	1.2×10-13	2.8×10-13	6.5×10-12
阻抗（MΩ）	30	1	1.5	50kΩ	320Ω
電容（pF）	80	1500	800	-	9000
響應(yīng)時(shí)間（ns）	8	160	100	300	1μs
信號(hào)輸出模式	電流	電流	電流	電流	電流
輸出信號(hào)性	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）

■ TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器（InGaAs）
——TE制冷型近紅外探測(cè)器，波長(zhǎng)范圍：0.8-2.6μm
TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中x-1700/ 1900/ 2200/ 2400/ 2600，均采用進(jìn)口二級(jí)TE制冷銦鎵砷探測(cè)元件，光譜響應(yīng)曲線參考圖如下：

型號(hào)列表及主要技術(shù)指標(biāo)：

型號(hào)/參數(shù)	DInGaAs1700-TE	DInGaAs1900-TE	DInGaAs2200-TE	DInGaAs2400-TE	DInGaAs2600-TE
光敏面直徑（mm）	3	3	3	3	3
波長(zhǎng)范圍（nm）	800-1700	800-1900	800-2200	800-2400	800-2600
峰值響應(yīng)度（A/W）	0.9	1	1.1	1.15	1.2
D*（典型值）	8.4×1013	9.1×1012	1.9×1012	9.6×1011	4.9×1011
NEP（典型值）	3.2×10-15	2.9×10-14	1.4×10-13	2.8×10-13	5.5×10-13
溫控器型號(hào)	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC	ZTC
探測(cè)器溫度（℃）	-40	-40	-40	-40	-40
溫度穩(wěn)定度（℃）	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5	±0.5
環(huán)境溫度（℃）	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40	+10~+40
信號(hào)輸出模式	電流	電流	電流	電流	電流
輸出信號(hào)性	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）	正（P）
備注	制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）推薦使用前置放大器型號(hào)：ZPA-7

銦鎵砷探測(cè)器使用建議：
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器均為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器ZPA-7（Page85）做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)；標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接入信號(hào)，但仍建議增加前置放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS103數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器以提高探測(cè)靈敏度；
● DInGaAs系列和DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)器配合DCS300PA數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)（Page95）使用時(shí)，由于DCS300PA雙通道已集成信號(hào)放大器，故可不再需要另行選配前置放大器；
● 制冷型DInGaAs-TE系列銦鎵砷探測(cè)，在制冷模式時(shí)須使用溫控器（型號(hào)：ZTC）進(jìn)行降溫控制；

上一個(gè)：BLUE-WaveStellarNet光纖光譜儀